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[인사이트] 김한솔 기자 = 삼성전자가 세계 최초 3나노(㎚, 1나노미터는 10억분의 1m) 공정 양산에 돌입할 전망이다.

28일 업계 등에 따르면 삼성전자는 이번 주중 차세대 공정 기술인 GAA(게이트올어라운드) 기반 3나노 공정 양산에 돌입한다.

현재는 윗면·앞면·뒷면 등 총 3면에서 전기가 흐르는 핀펫(FinFET)이 널리 사용되고 있다.

GAA는 핀펫과 달리 아랫면까지 쓰는 4차원 방식을 사용해 보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다. 성능은 더욱 뛰어나다.

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GAA 기반 3나노 공정은 글로벌 파운드리 1위인 대만 TSMC를 단번에 따라잡을 수 있을 것으로 기대하고 있다.

지난해 기준 삼성전자는 파운드리 점유율 부분에서 TSMC(52.1%)에 이은 2위를 차지한 바 있다.

앞서 삼성전자는 지난해 10월 파운드리 포럼에서 올해 상반기 안에 3나노 양산을 시작하겠다는 계획을 공식 선언했다.

반도체 웨이퍼에 새긴 한미 정상의 사인 / 뉴스1

예상보다 시기는 늦어졌지만 TSMC보다도 6개월 가량 빨리 양산에 돌입하게 됐다.

업계는 삼성전자가 3나노 양산을 시작하면 TSMC보다 기술력에서 앞선다는 것을 고객사에 보여주면서 파운드리 시장에서의 위상도 강화될 것으로 전망하고 있다.