[인사이트] 전준강 기자 = 이재용의 삼성전자가 반도체 기술을 더욱더 끌어올리고 있다.
삼성전자는 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공정을 적용한 DDR5 메모리 모듈을 개발하는 데 성공했다.
25일 삼성전자는 HKMG 모듈 공정을 통해 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 발표했다.
DDR5는 차세대 D램 규격이다. DDR4 대비 성능은 2배다. 이것이 상용화되면 데이터 전송속도는 7200Mbps가 될 전망이다.
1초에 60GB를 처리할 수 있는 속도다. 30GB 짜리 UHD, 블루레이 영화도 1초면 두 편을 받을 수 있다.
기존 공정 대비 약 13%의 전력 소모도 줄일 수 있다는 장점이 있다.
차세대 컴퓨팅, 인공지능(AI), 대용량 데이터센터 등 첨단 산업 발전을 위한 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다.
삼성전자 손영수 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다"라며 "공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 성능이 뛰어나고 에너지 효율이 높다"라고 설명했다.
이어 "자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화할 것으로 기대된다"라고 덧붙였다.