글로벌 탑급의 반도체 기업 SK하이닉스가 새로운 역사를 써냈다.

그동안 그 어떤 기업도 해내지 못한 10나노급 6세대 미세공정을 적용한 '16Gb(기가비트) DDR5 D램'을 개발하는 데 성공했다.

29일 SK하이닉스는 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정기술을 세상에 내놓았다고 밝혔다.

SK하이닉스는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다"라고 말했다.

이어 "연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것"이라고 덧붙였다.

SK하이닉스가 1c를 개발하는 방식은 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식이었다. 이것으로 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄였다.

업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 기술진은 판단하고 있다.

원가 경쟁력 제고...생산성 30% 이상 향상 

SK하이닉스는 원가 경쟁력도 제고했다. EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 이뤄낸 것이다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다고 자신했다.

1c DDR5은 고성능 데이터센터에 주로 활용될 것으로 보인다. 동작속도가 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대 대비 11% 빨라진 만큼 이용자들 편의성은 크게 증대될 것으로 파악된다.

회사는 점점 데이터센터의 전력 소비량이 증가하는 최근의 상황을 고려, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객에게 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있다는 점을 어필할 계획이다.

SK하이닉스 김종환 D램 개발담당 부사장은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 D램 시장 리더십을 지키면서 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.