[인사이트] 김한솔 기자 = 삼성전자가 세계 최초 3나노(㎚, 1나노미터는 10억분의 1m) 공정 양산에 돌입할 전망이다.

28일 업계 등에 따르면 삼성전자는 이번 주중 차세대 공정 기술인 GAA(게이트올어라운드) 기반 3나노 공정 양산에 돌입한다.

현재는 윗면·앞면·뒷면 등 총 3면에서 전기가 흐르는 핀펫(FinFET)이 널리 사용되고 있다.

GAA는 핀펫과 달리 아랫면까지 쓰는 4차원 방식을 사용해 보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다. 성능은 더욱 뛰어나다.

GAA 기반 3나노 공정은 글로벌 파운드리 1위인 대만 TSMC를 단번에 따라잡을 수 있을 것으로 기대하고 있다.

지난해 기준 삼성전자는 파운드리 점유율 부분에서 TSMC(52.1%)에 이은 2위를 차지한 바 있다.

앞서 삼성전자는 지난해 10월 파운드리 포럼에서 올해 상반기 안에 3나노 양산을 시작하겠다는 계획을 공식 선언했다.

예상보다 시기는 늦어졌지만 TSMC보다도 6개월 가량 빨리 양산에 돌입하게 됐다.

업계는 삼성전자가 3나노 양산을 시작하면 TSMC보다 기술력에서 앞선다는 것을 고객사에 보여주면서 파운드리 시장에서의 위상도 강화될 것으로 전망하고 있다.